2n5060 序列
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3
电的 特性
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
*peak repetitive 向前 或者 反转 blocking 电流 (便条 3)
(v
AK
= 评估 v
DRM
或者 v
RRM
)t
C
= 25
°
C
T
C
= 110
°
C
I
DRM
, i
RRM
−
−
−
−
10
50
一个
一个
在 特性
*peak 向前 on−state 电压 (便条 4)
(i
TM
= 1.2 一个 顶峰 @ t
一个
= 25
°
c)
V
TM
− − 1.7 V
门 触发gger 电流(持续的 直流) (便条 5)
*(v
AK
= 7.0 vdc, r
L
= 100
)t
C
= 25
°
C
T
C
= −40
°
C
I
GT
−
−
−
−
200
350
一个
门 触发gger voltage (持续的 直流) (便条 5) T
C
= 25
°
C
*(v
AK
= 7.0 vdc, r
L
= 100
)t
C
= −40
°
C
V
GT
−
−
−
−
0.8
1.2
V
*gate non−trigger voltage
(v
AK
= 评估 v
DRM
, r
L
= 100
)t
C
= 110
°
C
V
GD
0.1 − −
V
支持 电流 (便条 5) T
C
= 25
°
C
*(v
AK
= 7.0 vdc, 初始的 电流 = 20 毫安) T
C
= −40
°
C
I
H
−
−
−
−
5.0
10
毫安
转变-在 时间
延迟 时间
上升 时间
(i
GT
= 1.0 毫安, v
D
= 评估 v
DRM
,
向前 电流 = 1.0 一个, di/dt = 6.0 a/
s
t
d
t
r
−
−
3.0
0.2
−
−
s
转变-止 时间
(向前 电流 = 1.0 一个 脉冲波,
脉冲波 宽度 = 50
s,
0.1% 职责 循环, di/dt = 6.0 a/
s,
dv/dt = 20 v/
s, i
GT
= 1 毫安) 2n5060, 2n5061
2n5062, 2n5064
t
q
−
−
10
30
−
−
s
动态 特性
核心的 比率 的 上升 的 off−state 电压
(评估 v
DRM
, exponential)
dv/dt − 30 − v/
s
3. R
GK
= 1000
是 包含 在 度量.
4. 向前 电流 应用 为 1 ms 最大 持续时间, 职责 循环
1%.
5. R
GK
电流 是 不 包含 在 度量.
*indicates 电子元件工业联合会 注册 数据.
+ 电流
+ 电压
V
TM
I
DRM
在 v
DRM
I
H
标识 参数
V
DRM
顶峰 repetitive 止 状态 向前 电压
I
DRM
顶峰 向前 blocking 电流
V
RRM
顶峰 repetitive 止 状态 反转 电压
I
RRM
顶峰 反转 blocking 电流
V
TM
顶峰 在 状态 电压
I
H
支持 电流
电压 电流 典型的 的 scr
anode +
在 状态
反转 blocking 区域
(止 状态)
反转 avalanche区域
anode −
向前 blocking 区域
I
RRM
在 v
RRM
(止 状态)
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