微波 公司
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放大器 - smt
8
外形 绘画
绝对 最大 比率
集电级 偏差 电压 (vcc) +7 伏特
rf 输入 电源 (rfin)(vcc = +3.9 vdc) +10 dbm
接合面 温度 150 °c
持续的 pdiss (t = 85 °c)
(减额 5.21 mw/°c 在之上 85 °c)
0.34 w
热的 阻抗
(接合面 至 含铅的)
191 °c/w
存储 温度 -65 至 +150 °c
运行 温度 -40 至 +85 °c
HMC311ST89
v00.0204
ingap hbt 增益 块
mmic 放大器, 直流 - 6.0 ghz
注释:
1. 材料 包装 身体: 低 压力 injection 模塑的
塑料 silica 和 硅 impregnated.
2. 含铅的 和 地面 paddle 材料: 铜 合金
3. 含铅的 和 地面 paddle 镀层: sn/铅 焊盘
4. 维度 是 在 英寸 [millimeters].
5. 含铅的 间隔 容忍 是 非-cumulative
6. 垫子 芒刺 长度 将要 是 0.15mm 最大.
垫子 芒刺 height 将要 是 0.05mm 最大.
7. 包装 warp 将要 不 超过 0.05mm.
8. 所有 地面 leads 和 地面 paddle 必须 是 焊接
至 pcb rf 地面.