微波 公司
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放大器 - 碎片
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HMC263
gaas mmic 低 噪音
放大器, 24 - 36 ghz
v02.0701
挂载 &放大; 使牢固结合 技巧 为 millimeterwave gaas mmics
这 消逝 应当 是 连结 直接地 至 这 地面 平面 eutectically 或者 和 传导性的 环氧的 (看 hmc 一般 han-
dling, 挂载, 使牢固结合 便条).
50 ohm microstrip 传递 线条 在 0.127mm (5 mil) 厚 alumina 薄的 fi lm substrates 是 推荐 为 bring-
ing rf 至 和 从 这 碎片 (图示 1). 如果 0.254mm (10 mil) 厚 alumina 薄的 fi lm substrates 必须 是 used, 这 消逝
应当 是 raised 0.150mm (6 毫英寸) 所以 那 这 表面 的 这 消逝 是 coplanar 和 这 表面 的 这 基质. 一个
方法 至 accomplish 这个 是 至 连结 这 0.102mm (4 mil) 厚 消逝 至 一个 0.150mm (6 mil) 厚 molybdenum 热温 spreader
(moly-tab) 这个 是 然后 连结 至 这 地面 平面 (图示 2).
microstrip substrates 应当 brought 作 关闭 至 这 消逝 作 可能 在 顺序 至 降低 bond 线 长度. 典型 消逝-
至-基质 间隔 是 0.076mm 至 0.152 mm (3 至 6 mils).
一个 rf 绕过 电容 应当 是 使用 在 这 vdd 输入. 一个 100 pf 单独的 layer 电容 (挂载 eutectically 或者 用
传导性的 环氧的) 放置 非 更远 比 0.762mm (30 毫英寸) 从 这 碎片 是 recommended.
组装 图解
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