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资料编号:38353
 
资料名称:2N6031
 
文件大小: 118.79K
   
说明
 
介绍:
POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
 
 


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图示 4. 热的 回馈
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图示 5. active–region safe 运行 范围
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那里 是 二 限制 在 这 电源 处理 能力 的
一个 晶体管: 平均 接合面 温度 和 第二
损坏. safe 运行 范围 曲线 表明 i
C
– v
CE
限制 的 这 晶体管 那 必须 是 observed 为 可依靠的
运作,i.e., 这 晶体管 必须 不 是 subjected 至 更好
消耗 比 这 曲线 表明.
这 数据 的 图示 5 是 为基础 在 t
j(pk)
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C
能变的 取决于 在 情况. 第二 损坏 脉冲波
限制 是 有效的 为 职责 循环 至 10% 提供 t
j(pk)
200
c. t
j(pk)
将 是 计算 从 这 数据 在
图示 4. 在高 情况 温度, 热的 限制 将
减少 这 电源 那 能 是 处理 至 值 较少 比 这
限制 imposed 用 第二 损坏.
PNP
2N6031
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图示 6. turn–off 时间
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2N5631
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