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资料编号:383637
 
资料名称:HN29W25611T-50H
 
文件大小: 331.84K
   
说明
 
介绍:
256M AND type Flash Memory More than 16,057-sector (271,299,072-bit)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
hn29w25611t-50h
256m 和 类型 flash 记忆
更多 比 16,057-sector (271,299,072-位)
ade-203-1178a (z)
rev. 1.0
将. 10, 2000
描述
这 hitachi hn29w25611t 是 一个 cmos flash 记忆 和 和 类型 multi-水平的 记忆 cells. 它 有 全部地
自动 程序编制 和 擦掉 能力 和 一个 单独的 3.3 v 电源 供应. 这 功能 是 控制
用 简单的 外部 commands. 至 合适 这 i/o card 产品, 这 单位 的 程序编制 和 擦掉 是 作 小
作 (2048 + 64) 字节. 最初的 有 sectors 的 hn29w25611t 是 更多 比 16,057 (98% 的 所有 sector
地址) 和 较少 比 16,384 sectors.
特性
在-板 单独的 电源 供应 (v
CC
): V
CC
= 3.3 v
±
0.3 v
Organization
和 flash 记忆: (2048 + 64) 字节
×
(更多 比 16,057 sectors)
数据 寄存器: (2048 + 64) 字节
multi-水平的 记忆 cell
2 位/每 记忆 cell
自动 程序编制
sector 程序 时间: 3.0 ms (典型值)
系统 总线 自由
地址, 数据 获得 函数
内部的 自动 程序 核实 函数
状态 数据 polling 函数
自动 擦掉
单独的 sector 擦掉 时间: 1.5 ms (典型值)
系统 总线 自由
内部的 自动 擦掉 核实 函数
状态 数据 polling 函数
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