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资料编号:38422
 
资料名称:2N7002L
 
文件大小: 58.68K
   
说明
 
介绍:
Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23
 
 


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leshan 无线电 公司, 有限公司.
l2n7002lt1–2/3
L2N7002LT1
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 Typ 最大值 单位
drain–source 损坏 电压
(v
GS
= 0, i
D
= 10
µ
模数转换器)
V
(br)dss
60 Vdc
零 门Voltage 流 currentT
J
= 25
°
C
(v
GS
= 0, v
DS
= 60 vdc)T
J
= 125
°
C
I
DSS
1.0
500
µ
模数转换器
gate–body 泄漏 电流, 向前
(v
GS
= 20 vdc)
I
GSSF
100 nAdc
gate–body 泄漏 电流, 反转
(v
GS
=
20 vdc)
I
GSSR
–100 nAdc
(便条 2.)
门 门槛 电压
(v
DS
= v
GS
,I
D
= 250
µ
模数转换器)
V
gs(th)
1.0 2.5 Vdc
on–state 流 电流
(v
DS
2.0 v
ds(在)
,V
GS
= 10 vdc)
I
d(在)
500 毫安
静态的 drain–source on–state 电压
(v
GS
= 10 vdc,I
D
= 500 madc)
(v
GS
= 5.0 vdc,I
D
= 50 madc)
V
ds(在)
3.75
0.375
Vdc
静态的 drain–source on–state 阻抗
(v
GS
= 10V, i
D
= 500 madc)T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
(v
GS
= 5.0 vdc,I
D
= 50 madc)T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
r
ds(在)
7.5
13.5
7.5
13.5
Ohms
向前 跨导
(v
DS
2.0 v
ds(在)
,I
D
= 200 madc)
g
FS
80 mmhos
输入 电容
(v
DS
= 25 vdc,V
GS
= 0, f = 1.0 mhz)
C
iss
50 pF
输出 电容
(v
DS
= 25 vdc,V
GS
= 0, f = 1.0 mhz)
C
oss
25 pF
反转 转移 电容
(v
DS
= 25 vdc,V
GS
= 0, f = 1.0 mhz)
C
rss
5.0 pF
(便条 2.)
turn–on 延迟 时间
(v
DD
= 25 vdc
,I
D
500 madc,
t
d(在)
20 ns
turn–off 延迟 时间
(v
R
G
= 25
, r
L
= 50
,V
gen
= 10 v)
t
d(off)
40 ns
body–drain 二极管 比率
二极管 向前 on–voltage
(i
S
=11.5 madc,V
GS
= 0 v)
V
SD
–1.5 Vdc
源 电流 持续的
(身体 二极管)
I
S
–115 mAdc
源 电流 搏动 I
SM
–800 mAdc
2. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300
µ
s, 职责 循环
2.0%.
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