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资料编号:38462
 
资料名称:2N7000
 
文件大小: 538.2K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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电的 特性
比率 在
流-源 损坏 电压
在 i
D
= 100
µ
一个, v
GS
= 0 v
V
(br)DSS
60 90 V
门-身体 泄漏 电流, 向前
在 v
GSF
= 20 v, v
DS
= 0 v
I
GSSF
––10nA
门-身体 泄漏 电流, 反转
在 v
GSR
= –20 v, v
DS
= 0 v
I
GSSR
–10 nA
流 截止 电流
在 v
DS
= 48 v, v
GS
= 0 v
I
DSS
––1
µ
一个
门-源 门槛 电压
在 v
GS
= v
DS
, i
D
= 1.0 毫安
V
gs(th)
0.8 1.5 3 V
流-源 在 阻抗
在 v
GS
= 10 v, i
D
= 500 毫安
R
ds(在)
–3.55.0
电容
在 v
DS
= 25 v, v
GS
= 0 v, f = 1 mhz
输入 电容
输出 电容
反馈 电容
C
iSS
C
OSS
C
rSS
60
25
5
pF
pF
pF
切换 时间
在 v
GS
= 10 v, v
DS
= 10 v, r
D
= 100
转变-在 时间
转变-止 时间
t
t
10
10
ns
ns
热的 阻抗 接合面 至 包围的 空气 R
thJA
150
1)
k/w
1)
有效的 提供 那 leads 是 保持 在 包围的 温度 在 一个 距离 的 2 mm 从 情况.
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