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资料编号：386589
 
资料名称：HSC226
 
文件大小： 28.82K
   
说明：
 
介绍:
Silicon Schottky Barrier Diode
 
 


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HSC226
rev.1, 8月. 2000, 页 3 的 5
主要的 典型的
图.1 向前 电流 vs. 向前 电压
图.2 反转 电流 vs. 反转 电压
向前 电压 v (v)
F
向前 电流 i (一个)
F
反转 电流 i (一个)
R
反转 电压 v (v)
R
图.3 电容 vs. 反转 电压
反转 电压 v (v)
R
电容 c (pf)
10
10
-8
10
10
10
-4
-7
-6
-5
Ta=25
°
C
Ta=75
°
C
脉冲波 测试
1.0
0 0.8
10
-2
10
-4
10
-6
0.2 0.4 0.6
10
-8
10
10
-3
10
-5
10
-1
10
0
10
1
-7
Ta=25
°
C
Ta=75
°
C
0.1
10
10
0.1
1.0
1.0
f=1MHz
0
10 30
4020
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