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资料编号:387301
 
资料名称:HSU119
 
文件大小: 26.75K
   
说明
 
介绍:
Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching
 
 


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HSU119
2
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
Item 标识 单位
顶峰 反转 电压 V
RM
85 V
反转 电压 V
R
80 V
平均 向前 电流 I
O
100 毫安
顶峰 调整的 电流 I
FM
300 毫安
非-repetitive 顶峰
向前 surge 电流
I
FSM
*1
4A
接合面 温度 Tj 125
°
C
存储 温度 Tstg –55 至 +125
°
C
便条: 1. 在里面 1
µ
s 向前 surge 电流.
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
向前 电压 V
F1
0.8 V I
F
= 10 毫安
V
F2
1.2
I
F
= 100 毫安
反转 电流 I
R
0.1
µ
AV
R
= 80v
电容 C 2.0 pF V
R
= 0v, f = 1 mhz
反转 恢复
时间
*1
t
rr
3.0 ns I
F
= 10 毫安, v
R
= 6v r
L
= 50
便条: 1. 反转 恢复 时间 测试 电路
3k
0.1µf
ro =50
rin =50
直流
供应
脉冲波
发生器
抽样
Oscilloscope
触发
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