cmos sdram
- 3 -
sdram 64mb h-消逝 (x32)
rev. 1.3 二月. 2004
这 k4s643232h 是 67,108,864 位 同步的 高 数据 比率 动态 内存 有组织的 作 4 x 524,288 words 用 32 位, fabricated
和 samsung
′
s 高 效能 cmos 技术. 同步的 设计 准许 准确的 循环 控制 和 这 使用 的 系统 时钟.
i/o transactions 是 可能 在 每 时钟 循环. 范围 的 运行 发生率,可编程序的 burst length 和 可编程序的
latencies 准许 这 一样 设备 至 是 有用的 为 一个 多样性的 高 带宽, 高 执行ance 记忆 系统 产品.
512k x 32bit x 4 banks sdram
• 电子元件工业联合会 标准 3.3v 电源 供应
• lvttl 兼容 和 多路复用 地址
• 四 banks 运作
• mrs 循环 和 地址 关键 programs
-. cas latency (2 &放大; 3)
-. burst 长度 (1, 2, 4, 8 & 全部 page)
-. burst 类型 (sequential &放大; interleave)
• 所有 输入 是 抽样 在 这 positive going 边缘 的 这 系统 时钟.
• burst 读 单独的-位 写 运作
• dqm 为 masking
• 自动 &放大; 自 refresh
• 64ms refresh 时期(4k 循环)
特性
一般 描述
部分 非. Orgainization 最大值 freq. 接口 包装
k4s643232h-tc/l70
512k x 32
143mhz(cl=3)
LVTTL 86pin tsop(ii)
k4s643232h-tc/l60 166mhz(cl=3)
k4s643232h-tc/l55 183mhz(cl=3)
k4s643232h-tc/l50 200mhz(cl=3)
订货 信息
行 &放大; column 地址 配置
Organization 行 地址 column 地址
2Mx32 A0~A10 a0-a7
: 点此下载
