HT7050A
Ta=25
C
标识 参数
测试 情况
最小值 典型值 最大值 单位
V
DD
情况
V
DET
Hi
Lo Detectable 电压
4.75 5 5.25 V
Lo
Hi Detectable 电压
4.845 5.25 5.775 V
V
HYS
Hysteresis 宽度
0.02
V
DET
0.05
V
DET
0.1
V
DET
V
I
DD
运行 电流 8V 非 加载
47
一个
V
DD
运行 电压
2.1
24 V
I
OL
输出 下沉 电流 3.6v
V
输出
=0.36v
36
毫安
V
T
DET
一个
温度 系数
0
c<ta<70
C
0.9
mv/
C
HT7070A
Ta=25
C
标识 参数
测试 情况
最小值 典型值 最大值 单位
V
DD
情况
V
DET
Hi
Lo Detectable 电压
6.65 7 7.35 V
Lo
Hi Detectable 电压
6.783 7.35 8.085 V
V
HYS
Hysteresis 宽度
0.02
V
DET
0.05
V
DET
0.1
V
DET
V
I
DD
运行 电流 8V 非 加载
47
一个
V
DD
运行 电压
2.1
24 V
I
OL
输出 下沉 电流 5V
V
输出
=0.5v
510
毫安
V
T
DET
一个
温度 系数
0
c<ta<70
C
0.9
mv/
C
HT70XX
rev. 1.60 6 January 14, 2003
函数的 描述
这 HT70XX 序列 是 一个 设置 的 电压 detectors
配备 和 一个 高 稳固 电压 涉及 这个 是
连接 至 这 负的 输入 的 一个 比较器
de
-
指出 作 V
REF
在 这 下列的 图示 为 NMOS 输出
电压 探测器.
当 这 电压 漏出 至 这 积极的 输入 的 这 com
-
parator (i,e,v
B
) 是 高等级的 比 V
REF
, VOUT 变得 高,
M1 转变 止, 和 V
B
是 表示 作 V
BH
=V
DD
(r
B
+R
C
)/(r
一个
+R
B
+R
C
). 如果 V
DD
是 decreased 所以 那 V
B
falls 至 一个 值 较少 比 V
REF
, 这 比较器 输出 在
-
verts 从 高 至 低, V
输出
变得 低, V
C
是 高, M1
转变 在, RC 是 绕过, 和 V
B
变为:
V
BL
=V
DD
R
B
/(r
一个
+R
B
), 这个 是 较少 比 V
bh.
用 所以
做, 这 比较器 输出 将 停留 低 至 阻止 这
电路 从 oscillating 当 V
B
V
ref.
如果 V
DD
falls 在下 这 最小 运行 电压, 这
输出 变为 未阐明的. 当 VDD 变得 从 低 至
V
DD
R
B
/(r
一个
+R
B
)>v
REF
, 这 比较器 输出 和
V
输出
变得 高.
这 detectable 电压 是 定义 作:
V
DET
(
)=
RRR
RR
ABC
BC
V
REF
这 释放 电压 是 定义 作:
V
DET
(+) =
RR
R
AB
B
V
REF
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