2SA1121
2
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
Item 标识 比率 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
–35 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
–35 V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
–4 V
集电级 电流 I
C
–500 毫安
集电级 电源 消耗 P
C
150 mW
接合面 温度 Tj 150
°
C
存储 温度 Tstg –55 至 +150
°
C
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级 至 根基 损坏
电压
V
(br)cbo
–35 — — V I
C
= –10
µ
一个, i
E
= 0
集电级 至 发射级 损坏
电压
V
(br)ceo
–35 — — V I
C
= –1 毫安, r
是
=
∞
发射级 至 根基 损坏
电压
V
(br)ebo
–4 — — V I
E
= –10
µ
一个, i
C
= 0
集电级 截止 电流 I
CBO
— — –0.5
µ
AV
CB
= –20 v, i
E
= 0
集电级 至 发射级 饱和
电压
V
ce(sat)
— –0.2 –0.6 V I
C
= –150 毫安, i
B
= –15 毫安
直流 电流 转移 比率 h
FE
*
1
60 — 320 V
CE
= –3 v, i
C
= –10 毫安
h
FE
10 — — V
CE
= –3 v, i
C
= –500 毫安
(脉冲波 测试)
根基 至 发射级 电压 V
是
— –0.64 — V V
CE
= –3 v, i
C
= –10 毫安
便条: 1. 这 2sa1121 是 grouped 用 h
FE
作 跟随.
等级 B C D
Mark SB SC SD
h
FE
60 至 120 100 至 200 160 至 320
看 典型的 曲线 的 2sa673.