sdram 64mb h-消逝 (x4, x8, x16)
cmos sdram
rev. 1.3 8月 2004
部分 非. Orgainization 最大值 freq. 接口 包装
k4s640432h-uc(l)75 16mb x 4 133mhz(cl=3)
LVTTL 54pin tsop(ii)
k4s640832h-uc(l)75 8mb x 8 133mhz(cl=3)
k4s641632h-uc(l)60
4mb x 16
166mhz(cl=3)
k4s641632h-uc(l)70 143mhz(cl=3)
k4s641632h-uc(l)75 133mhz(cl=3)
这 k4s640432h / k4s640832h / k4s641632h 是 67,108,864 位同步的 高 数据 比率 动态 内存 有组织的 作 4 x
4,194,304 words 用 4 位, / 4 x 2,097,152 words 用 8 位,/ 4 x 1,048,576 words 用 16 位, fabricated 和 samsung
′
s 高 perfor-
mance cmos 技术. 同步的 设计 allows 准确的 循环 控制 和 这 使用 的系统 时钟 i/o transactions 是 possible
在 每 时钟 循环. 范围 的 运行 发生率, 可编程序的 burst 长度 和 可编程序的 latencies 准许 这 一样 device 至
是 有用的 为 一个 多样性 的 高 带宽, high 效能 记忆 系统 产品.
• 电子元件工业联合会 标准 3.3v 电源 供应
• lvttl 兼容 和 多路复用 地址
• 四 banks 运作
• mrs 循环 和 地址 关键 programs
-. cas latency (2 &放大; 3)
-. burst 长度 (1, 2, 4, 8 & 全部 page)
-. burst 类型 (sequential &放大; interleave)
• 所有 输入 是 抽样 在 这积极的 going 边缘 的 这 系统
时钟
• burst 读 单独的-位 写 运作
• dqm (x4,x8) &放大; l(u)dqm (x16) 为 masking
• 自动 &放大; 自 refresh
• 64ms refresh 时期 (4k 循环)
•
铅-自由 包装
• rohs 一致的
一般 描述
特性
订货 信息
4m x 4bit x 4 / 2m x 8bit x 4 / 1mx 16bit x 4 banks 同步的 dram
行 &放大; column 地址 配置
Organization 行 地址 column 地址
16Mx4 A0~A11 a0-a9
8Mx8 A0~A11 a0-a8
4Mx16 A0~A11 a0-a7
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