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HV823
外部 组件 描述
外部 组件 选择 手册 线条
二极管 快 反转 恢复 二极管, 1n4148 或者 相等的.
cs 电容 0.01
µ
f 至 0.1
µ
f, 100v 电容 至 地 是 使用 至 store 这 活力 transferred 从 这 inductor.
R
el-osc
这 el lamp 频率 是 控制 通过 一个 外部 r
EL
电阻 连接 在 r
el-osc
和 v
DD
的 这
设备. 这 lamp 频率 增加 作 r
EL
减少. 作 这 el lamp 频率 增加, 这 数量
的 电流 描绘 从 这 电池 将 增加 和 这 输出 电压 v
CS
将 decrease. 这 颜色 的 这 el
lamp 是 依赖 在之上 它的 频率.
一个 2m
Ω
电阻 将 提供 lamp 频率 的 330 至 450hz. 减少 这 r
el-osc
用 一个 因素 的 2 将
增加 这 lamp 频率 用 一个 因素 的 2.
R
sw-osc
这 切换 频率 的 这 转换器 是 控制 通过 一个 外部 电阻, r
SW
在 r
sw-osc
和 v
DD
的 这 设备. 这 切换 频率 增加 作 r
SW
减少. 和 一个 给 inductor, 作 这 切换
频率 增加, 这 数量 的 电流 描绘 从 这 电池 将 decrease 和 这 输出 电压, v
CS
,
将 也 decrease.
C
SW
电容 一个 1nf 电容 是 推荐 在 r
sw-osc
至 地 当 一个 0.01
µ
f c
S
电容 是 使用. 这个 电容
是 使用 至 调往 任何 切换 噪音 那 将 couple 在 这 r
sw-osc
管脚. 这 c
SW
电容 将 也 是
需要 当 驱动 大 el lamp 预定的 至 增加 在 切换 噪音.
lx inductor 这 inductor l
x
是 使用 至 boost 这 低 输入 电压 用 inductive flyback. 当 这 内部的 转变 是 在,
这 inductor 是 正在 charged. 当 这 内部的 转变 是 止, 这 承担 贮存 在 这 inductor 将 是
transferred 至 这 高 电压 电容 c
S
. 这 活力 贮存 在 这 电容 是 连接 至 这 内部的
h-桥和 因此 至 这 el lamp. 在 一般, 小 值 inductors, 这个 能 handle 更多 电流,
是 更多 合适的 至 驱动 大 大小 lamps. 作 这 inductor 值 减少, 这 切换 频率 的 这
inductor (控制 用 r
SW
) 应当 是 增加 至 避免 饱和.
560
µ
h murata inductors 和 14.5
Ω
序列 直流 阻抗 是 典型地 推荐. 为 inductors 和 这
一样 电感 值 但是 和 更小的 序列 直流 阻抗, 更小的 r
SW
值 是 需要 至 阻止 高 电流
绘制 和 inductor 饱和.
Lamp 作 这 el lamp 大小 增加, 更多 电流 将 是 描绘 从 这 电池 至 维持 高 电压 横过
这 el lamp. 这 输入 电源, (v
在
x i
在
), 将 也 增加. 如果 这 输入 电源 是 更好 比 这 电源
消耗 的 这 包装 (400mw), 一个 外部 电阻 在 序列 和 一个 一侧 的 这 lamp 是 推荐
至 帮助 减少 这 包装 电源 消耗.
使能/使不能运转 配置
这 hv823 能 是 容易地 使能 和 无能 通过 一个 逻辑 控制
信号 在 这 r
SW
和 r
EL
电阻器 作 显示 在 图示 4 在下.
这 控制 信号 能 是 从 一个 微处理器. r
SW
和 r
EL
是 典型地 非常 高 值. 因此, 仅有的 10
’
s 的 microam-
图示 4: 使能/使不能运转 配置
peres 将 是 描绘 从 这 逻辑 信号 当 它 是 在 一个 逻辑 高
(使能) 状态. 当 这 微处理器 信号 是 高 这
设备 是 使能 和 当 这 信号 是 低, 它 是 无能.
1
7
2
3
4
8
6
5
V
在
= v
DD
在 =v
DD
止 = 0v
C
S
100V
4.7
µ
F
1
5V
1nF
L
x
1N4148
R
SW
R
EL
el lamp
HV823LG
L
x
地
V
B
V
一个
R
el-osc
V
DD
R
sw-osc
C
s
+
-
偏远的
使能
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