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资料编号:38913
 
资料名称:2SB1048
 
文件大小: 31.92K
   
说明
 
介绍:
Silicon PNP Epitaxial, Darlington
 
 


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2SB1048
3
0 50 100 150
包围的 温度 ta (
°
c)
集电级 电源 消耗 pc (w)
(在 这 alumina 陶瓷的 板)
最大 集电级 消耗 曲线
1.2
0.8
0.4
范围 的 safe 运作
–0.01
–0.03
–0.1
–3
–10
–0.3
–1.0
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(v)
集电级 电流 i
C
(一个)
–3 –10 –30 –100 –300
ta = 25
°
C
1 shot 脉冲波
i
C
(顶峰)
1
µ
s
1 ms
pw = 10 ms
典型 输出 特性
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(v)
集电级 电流 i
C
(一个)
0 –2–4–6–8–10
–1.0
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
I
B
= 0 一个
ta = 25
°
C
P
C
= 1 w
–1 m
–0.6 m
–0.2 m
–0.1 m
–0.04 m
–0.02 m
–0.01 m
直流 电流 转移 比率 vs.
集电级 电流
集电级 电流 i
C
(毫安)
–30 –100 –300 –1,000 –3,000
100
300
1,000
3,000
10,000
30,000
100,000
直流 电流 转移 比率 h
FE
V
CE
= –3 v
脉冲波
ta = 75
°
C
25
–25
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