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2SB1002
4
–1
10,000
3,000
1,000
300
30
10
100
–3 –10 –30
集电级 电流  i
C
(毫安)
直流 电流 转移 比率  h
FE
直流 电流 转移 比率 vs.
集电级 电流
–100 –300 –1,000
脉冲波
V
CE
= –2 v
–0.3
3,000
1,000
300
100
30
10
3
–1.0 –3
集电级 至 根基 电压  v
CB
(v)
集电级 输出 电容  c
ob
(pf)
集电级 输出 电容
vs. 集电级 至 根基 电压
–10 –30 –100 –300
f = 1 mhz
I
E
= 0
–10
–1.0
–0.3
–0.1
–0.03
–0.01
–30 –100
集电级 电流  i
C
(毫安)
集电级 至 发射级 饱和 电压  v
ce(sat)
(v)
根基 至 发射级 饱和 电压  v
是(sat)
(v)
饱和 电压 vs. 集电级 电流
–300 –1,000
脉冲波
I
C
= 10 i
B
V
ce(sat)
V
是(sat)

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2SB1002 4 –1 10,000 3,000 1,000 300 30 10 100 –3 –10 –30 集电级电流 i C (毫安) 直流电流转移比率 h FE 直流电流转移比率 vs. 集电级电流 –100 –300 –1,000 脉冲波 V CE = –2 v –0.3 3,000 1,000 300 100 30 10 3 –1.0 –3 集电级至根基电压 v CB (v) 集电级输出电容 c ob (pf) 集电级输出电容 vs. 集电级至根基电压 –10 –30 –100 –300 f = 1 mhz I E = 0 –10 –1.0 –0.3 –0.1 –0.03 –0.01 –30 –100 集电级电流 i C (毫安) 集电级至发射级饱和电压 v ce(sat) (v) 根基至发射级饱和电压 v 是(sat) (v) 饱和电压 vs. 集电级电流 –300 –1,000 脉冲波 I C = 10 i B V ce(sat) V 是(sat)

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