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资料编号:39042
 
资料名称:2SC1215
 
文件大小: 62.41K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN epitaxial planer type
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
3
晶体管
2SC1215
Z
rb
— i
E
pg — i
E
nf — i
E
b
ib
— g
ib
b
rb
— g
rb
b
fb
— g
fb
b
ob
— g
ob
– 0.1 – 0.3 –1 –3 –10
0
120
100
80
60
40
20
f=2MHz
Ta=25˚C
V
CE
=6V
10V
发射级 电流 i
E
(
毫安
)
反转 转移 阻抗 z
rb
(
)
– 0.1 –1 –10 –100– 0.3 –3 –30
0
40
30
10
25
35
20
5
15
f=100MHz
R
g
=50
Ta=25˚C
V
CE
=10V
6V
发射级 电流 i
E
(
毫安
)
电源 增益 pg
(
dB
)
– 0.1 –1 –10 –100– 0.3 –3 –30
0
12
10
8
6
4
2
V
CE
=10V
f=100MHz
R
g
=50k
Ta=25˚C
发射级 电流 i
E
(
毫安
)
噪音 图示 nf
(
dB
)
0504010 3020
–60
0
–10
–20
–30
–40
–50
y
rb
=g
rb
+jb
rb
V
CB
=10V
f=900MHz
I
E
=–2mA
–5mA
300
500
600
200
输入 conductance g
ib
(
mS
)
输入 susceptance b
ib
(
mS
)
–1.0 0– 0.2– 0.8 – 0.4– 0.6
–2.4
0
– 0.4
– 0.8
–1.2
–1.6
–2.0
y
rb
=g
rb
+jb
rb
V
CB
=10V
f=900MHz
I
E
=–5mA
–2mA
300
500
600
200
反转 转移 conductance g
rb
(
mS
)
反转 转移 susceptance b
rb
(
mS
)
–60 4020–40 0–20
0
48
40
32
24
16
8
y
fb
=g
fb
+jb
fb
V
CB
=10V
f=200MHz
I
E
=–5mA
–2mA
300
500
600
900
向前 转移 conductance g
fb
(
mS
)
向前 转移 susceptance b
fb
(
mS
)
02.01.60.4 1.20.8
0
12
10
8
6
4
2
y
ob
=g
ob
+jb
ob
V
CE
=10V
f=200MHz
I
E
=–2mA –5mA
300
500
600
900
输出 conductance g
ob
(
mS
)
输出 susceptance b
ob
(
mS
)
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