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资料编号:390446
 
资料名称:HY57V641620HGT-P
 
文件大小: 86.73K
   
说明
 
介绍:
4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
HY57V641620HG
rev. 0.5/六月.01
5
CAPACITANCE
(ta=25
°
C
, f=1mhz)
输出 加载 cIRCU
直流 characterISTICSI
(ta=0 至 70
°
C
, v DD =3.3
±
0.3v
Note3
)
te :
1.v = 0 至 3.6v, 所有 其它 管脚 是 不 测试 下面 v =0V
2.d输出是 无能, v 输出=0 至 3.6
参数 P 标识 M 最大值 单位
输入 电容 CLK C I1 2 4 pF
a0 ~ a11, ba0, ba1, cke,CS,RAS,
CAS,我们, udqm, ldqm
CI 2 2.5 5 pF
数据 输入 / 输出 电容 dq0 ~ dq15 C i/o 2 6.5 pF
Parameter 标识 M在. 最大值 单位 便条
输入 泄漏 电流 I LI -1 1 uA 1
输出 泄漏 电流 I LO -1 1 uA 2
输出 高 电压 V OH 2.4 - V I OH= -4ma
输出 低 电压 V OL - 0.4 V I OL= +4ma
Vtt=1.4v
RT=250
50pF
输出
50 pF
输出
直流 输出 加载 电路 交流 输出 加载 电路
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