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资料编号:390491
 
资料名称:HY57V161610DTC-10
 
文件大小: 73.19K
   
说明
 
介绍:
2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
HY57V161610D
rev. 4.0/8月. 02
9
交流 特性
(ta=0
°
C
至 70
°
C
, v
DD
=3.0v 至
3.6v, v
SS
=0V
note1,2
))
Paramter 标识
-5 -55 -6 -7
单位 便条
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
RAS
循环 时间
运作 tRC 55 55 60 - 70 - ns
自动 refresh tRRC 55 55 60 - 70 - ns
RAS
至 cas延迟 tRCD 15 16.5 18 - 20 - ns
RAS
起作用的 时间 tRAS 40 100K 38.5 100K 40 100K 45 100K ns
RAS
precharge 时间 tRP 3 3 3 - 3 - CLK
RAS
至 rasbank 起作用的 延迟 tRRD 2 2 2 - 2 - CLK
CAS
至 casbank 起作用的 延迟 tCCD 1 1 1 - 1 - CLK
写 command 至 数据-在 延迟 tWTL 0 0 0 - 0 - CLK
数据-在 至 precharge command tDPL 1 1 1 - 1 - CLK
数据-在 至 起作用的 command tDAL 4 4 4 - 4 - CLK
dqm 至 数据-在 hi-z tDQZ 2 2 2 - 2 - CLK
dqm 至 数据 掩饰 tDQM 0 0 0 - 0 - CLK
mrs 至 新 command tMRD 2 2 2 - 2 - CLK
precharge 至 数据 输出 hi-z tPROZ 3 3 3 - 3 - CLK
电源 向下 exit 时间 tPDE 1 1 1 - 1 - CLK
自 refresh exit 时间 tSRE 1 1 1 - 1 - CLK 3
refresh 时间 tREF 64 64 - 64 - 64 ms
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