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资料编号:390565
 
资料名称:HY62CT08081E
 
文件大小: 186.36K
   
说明
 
介绍:
32Kx8bit CMOS SRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
HY62CT08081E序列
Rev04/Apr.2001
3
真实 表格
/cs /我们 /oe 模式 i/o 运作
H X X 备用物品 -Z
L H H 输出 无能 -Z
L H L 数据 输出
L L X 数据 在
便条
1. h=vIH, l=vIL, x=don't 小心
直流 特性
vcc = 5V
±
10%, t一个=0
°
c 至 70
°
c (正常的) /-25
°
c 至 85
°
C(扩展)/-40
°
c 至 85
°
C(工业的),
除非 否则 指定.
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
ILI 输入 泄漏 电流 Vss<V<Vcc -1 - 1 uA
ILO 输出 泄漏 电流 Vss<V输出<vcc, /cs = vIH或者
/OE=VIH或者 /我们 = vIL
-1 - 1 uA
Icc 运行 电源 供应
电流
/cs = vIL,
V= vIH或者 vil,Ii/o =0mA
- - 10 毫安
ICC1 平均 运行 电流 /cs = vil,V= vIH或者 vIL,
最小值 职责 循环 = 100%, ii/o =0mA
- - 50 毫安
ISB ttl 备用物品 电流
(ttl 输入)
/cs= vIH,
V= vIH或者 vIL
- - 1 毫安
ISB1 cmos 备用物品 电流 /cs>Vcc-0.2v,
(cmos 输入) V>Vcc-0.2v 或者
0~70
°
C
- - 10 uA
V<Vss+ 0.2v
-25~85
°
c 或者
-40~85
°
C
- - 20 uA
VOL 输出 低 voltage IOL= 2.1ma - - 0.4 V
VOH 输出 高 电压 Ioh =-1.0毫安 2.4 - - V
便条 : 典型 值 是 在 vcc =5.0v, t一个= 25
°
C
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