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资料编号:390573
 
资料名称:HY628100ALLG
 
文件大小: 128K
   
说明
 
介绍:
128Kx8bit CMOS SRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
hy628100a 序列
rev.05 /二月.99
3
直流 电的 特性
vcc = 5.0v
±
10%, t一个= 0
°
C至 70
°
C, 除非 否则 指定
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
ILI 输入 泄漏 电流 Vss<V<Vcc -1 - 1 uA
ILO 输出 泄漏 电流 Vss<V输出<vcc, /cs1 = vIH或者
cs2 = vIL或者/OE=VIH或者 /我们 = vIL
-1 - 1 uA
Icc 运行 电源 供应
电流
/cs1 = vIL, cs2 = vih,
V= vIH或者 vil,Ii/o =0mA
- 5 10 毫安
ICC1 平均 运行
电流
/cs1 = vILcs2 = vih,
最小值 职责 循环 = 100%, ii/o =0mA
- 30 50 毫安
ISB ttl 备用物品 电流
(ttl 输入)
/cs1 = vIH或者 cs2 = vIL - 1 2 毫安
ISB1 备用物品 电流 /cs1>vcc - 0.2v - - 1 毫安
(cmos 输入) CS2>0.2v 或者 L - 2 100 uA
CS2>vcc - 0.2v LL - 1 20 uA
VOL 输出 低 电压 IOL= 2.1ma - - 0.4 V
VOH 输出 高 电压 Ioh =-1ma 2.4 - - V
便条 : 典型 值 是 在vcc = 5.0v, t一个= 25
°
C
交流 特性
vcc = 5.0v
±
10%, t一个= 0
°
C至 70
°
C(正常的), 除非 否则 指定
-55 -70 -85
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
1 TRC 读 循环 时间 55 - 70 - 85 - ns
2 tAA* 地址 进入 时间 - 55 - 70 - 85 ns
3 tACS* 碎片 选择 进入 时间 - 55 - 70 - 85 ns
4 TOE 输出 使能 至 输出 有效的 - 25 - 35 - 45 ns
5 TCLZ 碎片 选择 至 输出 在 低 z 10 - 10 - 10 - ns
6 TOLZ 输出 使能 至 输出 在 低 z 5 - 5 - 5 - ns
7 tCHZ 碎片deselection 至 输出 在 高 z 0 20 0 25 0 30 ns
8 tOHZ 输出 使不能运转 至 输出 在 高 z 0 20 0 25 0 30 ns
9 tOH 输出 支撑 从 地址 改变 10 - 10 - 10 - ns
10 tWC 写 循环 时间 55 - 70 - 85 - ns
11 tCW 碎片 选择 至 终止 的 写 45 - 60 - 70 - ns
12 tAW 地址 有效的 至 终止 的 写 45 - 60 - 70 - ns
13 tAS 地址 设置-向上 时间 0 - 0 - 0 - ns
14 tWP 写 脉冲波 宽度 40 - 50 - 55 - ns
15 tWR 写 恢复 时间 0 - 0 - 0 - ns
16 tWHZ 写 至 输出 在 高 z 0 20 0 25 0 30 ns
17 tDW 数据 至 写 时间 overlap 25 - 30 - 35 - ns
18 tDH 数据 支撑 从 写 时间 0 - 0 - 0 - ns
19 tOW 输出 起作用的 从 终止 的 写 5 - 5 - 5 - ns
comment :taa* 和tacs* 能 满足 50ns 和 30pf 测试 加载.
读 循环
写 循环
标识
参数
#
单位
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