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资料编号:390628
 
资料名称:HY62WT08081E-DGC
 
文件大小: 205.31K
   
说明
 
介绍:
HY62WT08081E Series 32Kx8bit CMOS SRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
HY62WT08081E序列
Rev04/.2001
2
订货 信息
部分 非.
4.5~5.5v 2.7~3.6v
电源 温度 包装
HY62WT08081E-DPC
0 至 70
°
C
HY62WT08081E-DPE
-25 至 85
°
C
HY62WT08081E-DPI
-40 至 85
°
C
PDIP
HY62WT08081E-DGC
0 至 70
°
C
HY62WT08081E-DGE
-25 至 85
°
C
HY62WT08081E-DGI
-40 至 85
°
C
SOP
HY62WT08081E-DTC
0 至 70
°
C
HY62WT08081E-DTE
-25 至 85
°
C
HY62WT08081E-DTI
55/70
70*/85 LL-部分
-40 至 85
°
C
TSOP-i 标准
便条* 70ns 是 有 和 30pf test 加载
绝对 最大 比率 (1)
标识 参数 比率 单位
vcc, v在,V输出 电源 供应, 4.5~5.5v -0.3 至 7.0 V
输入/输出 电压 2.7~3.6v -0.3 至4.6 V
HY62WT08081E-C 0 至 70
°
C
HY62WT08081E-E -25 至 85
°
C
T一个 运行 温度
HY62WT08081E-I -40 至 85
°
C
TSTG 存储 温度 -65 至 150
°
C
PD 电源 消耗 1.0 W
I输出 数据 输出 电流 50 毫安
T焊盘 含铅的 焊接 温度 &放大; 时间
260
10
°
C
便条
1. 压力 更好 比 那些 列表 下面 绝对 最大 ratings 将 导致 永久的
损坏 至 这 设备. 这个 是 压力 比率 仅有的 和 这 函数的 运作 的 这 设备 下面 这些 或者
任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运作 的 这个 规格 是 不 implied.
暴露 至 这 绝对 最大 比率 情况 为 扩展 时期 将 影响 可靠性.
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