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资料编号:390652
 
资料名称:HY62UF16101CLLF-I
 
文件大小: 170.01K
   
说明
 
介绍:
64Kx16bit full CMOS SRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
HY62UF16101C序列
rev.04/Dec.00
5
定时 图解
读 循环 1(不e 1,4)
读 循环 2(便条 1,2,4)
tRC
tAA
数据 有效的previous 数据
tOH
tOH
地址
数据
输出
读 循环 3(便条 1,2,4)
/cs
/ub, /lb
tACS
数据 有效的
tclz(3)
tchz(3)
数据
输出
注释:
一个 read occurs在 这 overlap 的 一个 低/oe,一个 高 /我们, 一个 低 /cs1 和 低/ub 和/或者 /lB.
2. /oe = vIL
3. 转变 是 量过的+200mv 从 稳步的 状态 电压.
这个 参数 是 抽样 和 不 100% 测试.
4./cs在 高 为 这 备用物品, 低 为 起作用的
/ub 和 /lb 在 高 为 这 备用物品, 低 为 起作用的
地址
tRC
/CS
tAA
tACS
tOH
数据 有效的
-Z
数据
输出
/UB,/ lb
/OE
tBA
tOE
tCLZ(3)
tBLZ(3)
tOLZ(3)
tCHZ
(3)
tBHZ(3)
tOHZ(3)
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