2SC1214
2
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
Item 标识 比率 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
50 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
50 V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
4V
集电级 电流 I
C
500 毫安
集电级 电源 消耗 P
C
600 mW
接合面 温度 Tj 150 °C
存储 温度 Tstg –55 至 +150 °C
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级 至 根基 损坏
电压
V
(br)cbo
50 — — V I
C
= 10 µa, i
E
= 0
集电级 至 发射级 损坏
电压
V
(br)ceo
50 — — V I
C
= 1 毫安, r
是
=
发射级 至 根基 损坏
电压
V
(br)ebo
4——VI
E
= 10 µa, i
C
= 0
集电级 截止 电流 I
CBO
— — 0.5 µA V
CB
= 20 v, i
E
= 0
直流 电流 转移 比率 h
FE
* 60 — 320 V
CE
= 3 v, i
C
= 10 毫安
h
FE
10 — — V
CE
= 3 v, i
C
= 500 毫安
(脉冲波 测试)
集电级 至 发射级 饱和
电压
V
ce(sat)
— 0.2 0.6 V I
C
= 150 毫安, i
B
= 15 毫安
(脉冲波 测试)
根基 至 发射级 电压 V
是
— 0.64 — V V
CE
= 3 v, i
C
= 10 毫安
便条: 1. 这 2sc1214 是 grouped 用 h
FE
作 跟随.
BCD
60 至 120 100 至 200 160 至 320
看 典型的 曲线 的 2sc1213.
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