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资料编号：39083
 
资料名称：2SC1567A
 
文件大小： 93.71K
   
说明：
 
介绍:
Silicon NPN epitaxial planar type
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2sc1567, 2sc1567a
2
SJD00092BED
P
C
T
一个
I
C
V
CE
I
C
I
B
V
ce(sat)
I
C
V
是(sat)
I
C
h
FE
I
C
f
T
I
E
C
ob
V
CB
I
CEO
T
一个
集电级 电源 消耗 p
C
(
W
)
包围的 温度 t
一个
(
°
C
)
0 16040 12080
0
1.6
1.2
0.8
0.4
没有 热温 下沉
0
012210486
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
集电级 电流 i
C
(
一个
)
集电级-发射级 电压 v
CE
(
V
)
T
C
=25˚C
10mA
8mA
6mA
4mA
2mA
12mA
18mA
I
B
=20mA
16mA
14mA
0
015105
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
根基 电流 i
B
(毫安)
集电级 电流 i
C
(一个)
V
CE
=10V
T
C
=25˚C
0.001
1
0.01
0.1
1
10
10 100 1
000
集电级-发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
(v)
集电级 电流 i
C
(毫安)
I
C
/i
B
=10
–25˚C
25˚C
T
C
=100˚C
0.01
1
0.1
1
10
100
10 100 1
000
根基-发射级 饱和 电压 v
是(sat)
(v)
集电级 电流 i
C
(毫安)
I
C
/i
B
=10
T
C
=–25˚C
25˚C
100˚C
1 10 100 1
000
1
10
向前 电流 转移 比率 h
FE
集电级 电流 i
C
(毫安)
10
2
10
4
10
3
25˚C
V
CE
=10V
T
C
=100˚C
–25˚C
−
1
−
10
−
100
0
40
80
120
200
160
转变 频率 f
T
(mhz)
发射级 电流 i
E
(毫安)
V
CB
=10V
f=200MHz
T
C
=25˚C
1 10 100
0
50
40
30
20
10
集电级 输出 电容
(一般 根基, 输入 打开 短路)
C
ob
(pf)
集电级-根基 电压 v
CB
(
V
)
I
E
=0
f=1MHz
T
C
=25˚C
1
10
10
2
10
3
10
5
10
4
0 2001601208040
I
CEO
(
T
一个
)
I
CEO
(
T
一个
=
25
°
C
)
包围的 温度 t
一个
(
°
C
)
V
CE
=20V
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