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资料编号:391749
 
资料名称:HZK7B
 
文件大小: 49.81K
   
说明
 
介绍:
Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Stabilized Power Supply
 
 


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hzk 序列
rev.3.00, 将.14.2003, 页 2 的 7
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
Item 标识 单位
电源 消耗 pd * 500 mW
接合面 温度 Tj 175 °C
存储 温度 Tstg –55 至 +175 °C
便条: 和 p.c. 板.
电的 特性
(ta = 25°c)
齐纳 电压 反转 电流 动态 阻抗
V
Z
(v) *
测试
情况 I
R
(
µ
µµ
µ
一个)
测试
情况 r
d
(
ΩΩ
)
测试
情况
类型 等级 最小值 最大值 I
Z
(毫安) 最大值 V
R
(v) 最大值 I
Z
(毫安)
HZK2 B 1.9 2.3 5 5 0.5 100 5
c2.22.6
HZK3 一个 2.5 2.9 5 5 0.5 100 5
b2.83.2
c3.13.5
HZK4 一个 3.4 3.8 5 5 1.0 100 5
b3.74.1
c4.04.4
HZK5 一个 4.3 4.7 5 5 1.5 100 5
b4.65.0
c4.95.3
HZK6 一个 5.2 5.7 5 5 2 40 5
b5.56.0
c5.86.4
HZK7 一个 6.3 6.9 5 1 3.5 15 5
b6.77.3
c7.27.9
HZK9 一个 7.7 8.5 5 1 5 20 5
b8.39.1
c8.99.7
便条: 测试 和 直流.
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