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资料编号:392302
 
资料名称:HZU2.0B
 
文件大小: 100.59K
   
说明
 
介绍:
Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Stabilizer
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
hzu 序列
rev.7, dec. 2002, 页 2 的
9
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
item 标识 值 单位
电源 消耗 Pd
*
1
200 mW
接合面 温度 Tj 150 °C
存储 温度 Tstg -55 至 +150 °C
便条: 1. 和 p.c. 板.
电的 特性
(ta = 25°c)
齐纳 电压 反转 电流 动态 阻抗
V
Z
(v)
*
1
测试
情况
I
R
(
µ
µµ
µ
一个)
测试
情况
r
d
(
ΩΩ
)
测试
情况
类型 等级 最小值 最大值 i
Z
(毫安) 最大值 V
R
(v) 最大值 I
Z
(毫安)
hzu2.0 B 1.90 2.20 5 120 0.5 100 5
hzu2.2 B 2.10 2.40 5 120 0.7 100 5
hzu2.4 B 2.30 2.60 5 120 1.0 100 5
hzu2.7 B 2.50 2.90 5 120 1.0 110 5
B1 2.50 2.75
B2 2.65 2.90
hzu3.0 B 2.80 3.20 5 50 1.0 120 5
B1 2.80 3.05
B2 2.95 3.20
hzu3.3 B 3.10 3.50 5 20 1.0 130 5
B1 3.10 3.35
B2 3.25 3.50
hzu3.6 B 3.40 3.80 5 10 1.0 130 5
B1 3.40 3.65
B2 3.55 3.80
hzu3.9 B 3.70 4.10 5 10 1.0 130 5
B1 3.70 3.97
B2 3.87 4.10
便条: 1. 测试 和 脉冲波 (p
W
= 40 ms).
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