2
晶体管
2SD1030
P
C
— ta I
C
— v
CE
I
C
— v
是
V
ce(sat)
— i
C
h
FE
— i
C
f
T
— i
E
C
ob
— v
CB
0 16040 12080 14020 10060
0
240
200
160
120
80
40
包围的 温度 ta
(
˚C
)
集电级 电源 消耗 p
C
(
mW
)
012108264
0
160
120
40
100
140
80
20
60
Ta=25˚C
20
µ
一个
30
µ
一个
40
µ
一个
50
µ
一个
60
µ
一个
70
µ
一个
80
µ
一个
90
µ
一个
10
µ
一个
I
B
=100
µ
一个
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
02.01.60.4 1.20.8
0
120
100
80
60
40
20
V
CE
=10V
Ta=75˚C
–25˚C
25˚C
根基 至 发射级 电压 v
是
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
0.1 1 10 1000.3 3 30
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/i
B
=10
25˚C
–25˚C
Ta=75˚C
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
集电级 至 发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
(
V
)
0.1 1 10 1000.3 3 30
0
1800
1500
1200
900
600
300
V
CE
=10V
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
向前 电流 转移 比率 h
FE
– 0.1 –1 –10 –100– 0.3 –3 –30
0
250
200
150
100
50
V
CB
=10V
Ta=25˚C
发射级 电流 i
E
(
毫安
)
转变 频率 f
T
(
MHz
)
1 3 10 30 100
0
8
6
2
5
7
4
1
3
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25˚C
集电级 至 根基 电压 v
CB
(
V
)
集电级 输出 电容 c
ob
(
pF
)