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特性
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串行 附带的 接口 (spi) 兼容
•
支持 spi 模式 0 (0,0) 和 3 (1,1)
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20 mhz 时钟 比率
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字节 模式 和 256-字节 页 模式 为 程序 行动
•
sector architecture:
– 二 sectors 和 32k 字节 各自 (512k)
– 四 sectors 和 32k 字节 各自 (1m)
– 128 页 每 sector
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产品 identification 模式
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低-电压 运作
– 2.7 (v
CC
= 2.7v 至 3.6v)
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sector 写 保护
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写 保护 (wp) 管脚 和 写 使不能运转 说明 为
两个都 硬件 和 软件 数据 保护
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自-安排时间 程序 循环 (60 µs/字节 典型)
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自-安排时间 sector 擦掉 循环 (1 第二/sector 典型)
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单独的 循环 reprogramming (擦掉 和 程序) 为 状态 寄存器
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高 可靠性
– 忍耐力: 10,000 写 循环 典型
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8-含铅的 电子元件工业联合会 soic
描述
这 at25f512/1024 提供 524,288/1,048,576 位 的 串行 reprogrammable flash
记忆 有组织的 作 65,536/131,072 words 的 8 位 各自. 这 设备 是 优化
为 使用 在 许多 工业的 和 商业的 产品 在哪里 低-电源 和 低-volt-
age 运作 是 essential. 这 at25f512/1024 是 有 在 一个 空间-节省 8-含铅的
电子元件工业联合会 soic 包装.
这 at25f512/1024 是 使能 通过 这 碎片 选择 管脚 (cs
) 和 accessed 通过 一个
3-线 接口 consisting 的 串行 数据 输入 (si), 串行 数据 输出 (所以), 和
串行 时钟 (sck). 所有 写 循环 是 完全地 自-安排时间.
块 写 保护 为 顶 1/4, 顶 1/2 或者 这 全部 记忆 排列 (1m) 或者
全部 记忆 排列 (512k) 是 使能 用 程序编制 这 状态 寄存器. 独立的
写 使能 和 写 使不能运转 说明 是 提供 为 额外的 数据 保护.
硬件 数据 保护 是 提供 通过 这 wp
管脚 至 保护 相反 inadvertent
写 attempts 至 这 状态 寄存器. 这 支撑
管脚 将 是 使用 至 suspend 任何 串行
交流 没有 resetting 这 串行 sequence.
Rev.1440M–SEEPR–7/03
spi 串行
记忆
512k (65,536 x 8)
1m (131,072 x 8)
在25F512
AT25F1024
管脚 配置
管脚 名字 函数
CS
碎片 选择
SCK 串行 数据 时钟
SI 串行 数据 输入
所以 串行 数据 输出
地 地面
VCC 电源 供应
WP
写 保护
支撑
suspends 串行 输入
8-含铅的 soic
1
2
3
4
8
7
6
5
CS
所以
WP
地
VCC
支撑
SCK
SI
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