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资料编号:39332
 
资料名称:2SJ243
 
文件大小: 61.76K
   
说明
 
介绍:
P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING
 
 


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2SJ243
3
典型 特性 (t
一个
= 25 ˚c)
减额 因素 的 向前 偏差
safe 运行 范围
dt - 减额 因素 - %
100
T
C
- 情况 温度 - ˚c
总的 电源 消耗 vs.
包围的 温度
P
T
- 总的 电源 消耗 - mw
0
240
T
一个
- 包围的 温度 - ˚c
转移 特性
I
D
- 流 电流 - 毫安
–1.0
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
向前 转移 admittance vs.
流 电流
|
y
fs
| - 向前 转移 admittance - ms
–0.5
400
I
D
- 流 电流 - 毫安
流 至 源 在-状态 阻抗
vs. 门 至 源 电压
R
ds(在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 -
0
30
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
流 至 源 在-状态 阻抗
vs. 流 电流
R
ds(在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 -
–0.3
120
I
D
- 流 电流 - 毫安
0
200
160
120
80
40
30 60 90 120 150 180
–10
–1
–0.1
–0.01
100
30
3
1
–1.0 –3.0 –10 –30 –200
80
60
40
20
20 40 60 80 100 120 140 160
–0.001
–1.5 –2.0 –2.5 –3.0 –3.5 –4.0
V
DS
= –3 v
搏动
150 ˚c
T
一个
= –25 ˚c
25 ˚c
75 ˚c
–100
–25 ˚c
T
一个
= 75 ˚c
25 ˚c
150 ˚c
V
DS
= –3 v
搏动
20
10
I
D
= –0.1 一个
I
D
= –10 毫安
–1 –2 –3 –4 –5 –6 –7 –8 –0.6 –1 –2 –5 –10
75 ˚c
150 ˚c
25 ˚c
T
一个
= –25 ˚c
100
80
60
40
20
搏动
V
GS
= –2.5 v
搏动
210
–100
10
3.0 cm
2
×
0.64 mm
使用 陶瓷的 基质
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