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资料编号:39347
资料名称:
2SJ162
文件大小: 40.69K
说明
:
介绍
:
Silicon P-Channel MOS FET
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2sj160, 2sj161, 2sj162
5
–10
–0.5
–10
流 电流 i
D
(一个)
流 至 源 饱和 电压 v
ds (sat)
(v)
–5
–0.5
–0.2
–1.0
–2
–0.1
–1.0
–2
流 至 源 饱和 电压
vs. 流 电流
V
GD
= 0
–0.2
–0.1
–5
75
25
T
C
= –25°c
–10
–4
–10
门 至 源 电压 v
GS
(v)
流 至 源 电压 v
DS
(v)
–8
–4
–2
–6
–8
0
–6
流 至 源 电压 vs.
门 至 源 电压
I
D
= –1 一个
–2
–2
–5
1,000
410
门 至 源 电压 v
GS
(v)
输入 电容 ciss (pf)
500
268
100
输入 电容 vs.
门 至 源 电压
V
DS
= –10 v
f = 1 mhz
200
0
3.0
30 k
频率 f (hz)
向前 转移 admittance
yfs
(s)
1.0
10 k
0.3
向前 转移 admittance
vs. 频率
0.1
0.03
0.01
0.003
100 k
300 k
1 m
3 m
10 m
T
C
= 25°c
V
DS
= –10 v
I
D
= –2 一个
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