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资料编号:394165
 
资料名称:SI4450DY
 
文件大小: 98.62K
   
说明
 
介绍:
60V N-Channel PowerTrench MOSFET
 
 


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0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
0 1020304050
I
D
, 流 电流 (一个)
R
ds(在)
, normalized
流-源 在-阻抗
V
GS
=4.0v
4.5
5.0v
6.0v
7.0v
0
10
20
30
40
50
22.533.544.55
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
I
D
, 流 电流 (一个)
V
DS
= 5v
T
J
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0.20.40.60.8 1 1.2
V
SD
, 身体 二极管 电压 (v)
-i
S
, 反转 流 电流 (一个)
V
GS
=0V
T
J
=125
o
C
25
o
C
-55
o
C
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
246810
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
R
ds(在)
, 在 阻抗 (
)
I
D
=4.0一个
T
J
= 125
o
C
25
o
C
0
10
20
30
40
50
00.511.522.53
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
I
D
, 流 电流 (一个)
V
GS
=10V
7.0v
6.0v
5.0v
4.5v
4.0
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
R
ds(在)
, normalized
流-源 在-阻抗
图示 2. 在-阻抗 变化
Si4450DY
典型 特性
图示 1. 在-区域 特性.
和 流 电流 和 门 电压.
图示 3. 在-阻抗 变化
和 温度
图示 4. 在-阻抗 变化
和 门-至-源 电压.
图示 5. 转移 特性.
图示 6. 身体 二极管 向前 电压
变化 和 源 电流
和 温度.
Si4450DY
rev 一个
i =8.0a
D
v =10v
GS
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