首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:394229
 
资料名称:SI4511DY
 
文件大小: 77K
   
说明
 
介绍:
N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
 
 


: 点此下载
  浏览型号SI4511DY的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号SI4511DY的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号SI4511DY的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号SI4511DY的Datasheet PDF文件第6页
6

7
浏览型号SI4511DY的Datasheet PDF文件第8页
8
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si4511DY
vishay siliconix
文档 号码: 72223
s-41496—rev.b, 09-8月-04
www.vishay.com
7
典型 特性 (25
c 除非 指出) p-频道
0.4
0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
50
25 0 25 50 75 100 125 150
门槛 电压
T
J
温度 (
c)
I
D
= 250
一个
variance (v)V
gs(th)
0
15
30
5
10
电源 (w)
单独的 脉冲波 电源
时间 (秒)
25
10
3
10
2
1 10 60010
1
10
4
100
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
单独的 脉冲波
职责 循环 = 0.5
normalized 热的 瞬时 阻抗, 接合面-至-包围的
正方形的 波脉冲波 持续时间 (秒)
normalized 有效的瞬时
热的 阻抗
1. 职责 循环, d =
2. 每 单位 根基 = r
thJA
= 85
c/w
3. t
JM
T
一个
= p
DM
Z
thJA
(t)
t
1
t
2
t
1
t
2
注释:
4. 表面 挂载
P
DM
1 100 6001010
1
10
2
20
Safe运行 范围
V
DS
流-至-源 电压 (v)
100
1
0.1 1 10 100
0.01
10
T
C
= 25
C
单独的 脉冲波
流 电流 (一个)I
D
p(t) = 10
直流
0.1
I
DM
限制
I
d(在)
限制
r
ds(在)
限制
BV
DSS
限制
p(t) = 1
p(t) = 0.1
p(t) = 0.01
p(t) = 0.001
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com