lxe1710 e
VALUATION
B
OARD
U
SER
G
UIDE
Microsemi
linfinity 微电子学 分隔
11861 western avenue, garden grove, ca. 92841, 714-898-8121, fax: 714-893-2570
页 11
版权
2000
rev. 1.1, 2000-12-01
场效应晶体管 s
ELECTION
作 seen 在 previous sections, 这 用户 能 设计 这
输出 过滤 的 这 放大器 至 满足 效能 或者
costs targets. 在 增加, 这 放大器’s 电源 平台
(选择 的 mosfets) 能 是 选择 取决于 在
这些 tradeoffs. 这 效率 的 这 放大器 电路
能 是 近似 用 这 下列的 等式.
CROSSLINDPDSNDS
L
在
输出
PRRRRI
RI
P
P
++++
==
])(2[
2
2
在哪里
R
L
= 直流 阻抗 的 扬声器
R
NDS
= n-频道 场效应晶体管 在-阻抗
R
PDS
= p-频道 场效应晶体管 在-阻抗
R
IND
= 直流 阻抗 的 inductor
P
交叉
= 场效应晶体管 切换 丧失
这 整体的 效率 是 一个 函数 的 primarily 这
mosfets 和 输出 过滤 inductors. 这 “inductor”
部分’s contribution 将 是 考虑 后来的. 这
场效应晶体管 电源 丧失 是 一个 函数 的 这 在-阻抗
和 门 承担.
一个
R
P
I
WP
RRIP
O
PDSNDSDS
5.2
4
25
然后
4在25如果
)](2[丧失电源场效应晶体管
2
===
Ω=
+==
这 lx1710 evaluation 板 是 设计 使用
fds4953 p-频道 和 fds6612a n-频道
mosfets.
WP
RR
DS
PDSNDS
56.1)]095.003.0(2[)5.2(
095.0 ,03.0
2
=+=
Ω=Ω=
场效应晶体管 电源 丧失 是 均衡的 至 在-阻抗.
nfCVP
S
交叉
2
丧失切换场效应晶体管
==
在哪里
C
= 输入 电容
V
= 供应 电压
f
S
= 切换 频率
n
= 号码 的 mosfets
假设
C
= 1000pf
V
= 15vdc
f
S
= 500khz
WP
交叉
45.0)4)(10500)(15)(101(
329
=××=
−
场效应晶体管 切换 丧失 是 均衡的 至 总的 门
承担, 供应 电压, 和 切换 频率.
那里 是 一个 few 其它 重要的 参数 至
考虑 当 selecting 这 输出 电源 组件
besides 这 在-阻抗 和 门 承担 的 这
mosfets. 这 流-源 电压 必须 提供
ample 余裕 为 电路 噪音 和 高 速
切换 过往旅客. 自从 这 放大器 配置
需要 输出 桥 运作 在 这 供应 电压,
这 mosfets 应当 有 一个 流-源 电压 的
在 least 50% 更好 比 这 供应 电压. 这
电源 消耗 的 这 mosfets 应当 也 是
能 至 dissipate 这 热温 发生 用 这 内部的
losses 和 是 更好 比 这 总 的 p
DS
和 p
交叉
.
linfinity 推荐 那 在 selecting mosfets, r
DS
0 1!1 2
g
<10nc. 这 表格 在下 提供
一些 场效应晶体管 选项
.
FDS6612A FDS4953 Si4532ADY IRF7105
n-频道 p-频道 n-频道 p-频道 n-频道 p-频道
流-源 在-阻抗
rds(在)@vgs = +/-10v
0.022 0.053 0.053 0.08 0.10 0.25
流-源 电压
vdss (v) 30 -30 30 -30 25 -25
流 电流 (持续的)
id(持续的) (一个) 8.4 -5 4.9 -3.9 3.5 -2.3
总的 门 承担
Q
g
(典型) (nc) 9 8 8 10 9.4 10
生产者
仙童 仙童
Vishay
Siliconix
Vishay
Siliconix
国际的
整流器
国际的
整流器
场效应晶体管 组件 选项
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