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资料编号:394267
 
资料名称:SI4842DY
 
文件大小: 45.22K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si4842DY
vishay siliconix
新 产品
文档号码: 71325
s-03662—rev.b, 14-apr-03
www.vishay.com
3
典型 特性 (25
c 除非 指出)
0.000
0.004
0.008
0.012
0.016
0.020
0246810
0.000
0.002
0.004
0.006
0.008
0.010
0 102030405060
0
2
4
6
8
10
0 102030405060
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
1000
2000
3000
4000
0 6 12 18 24 30
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 15 v
I
D
= 23 一个
V
GS
= 10 v
I
D
= 23 一个
V
GS
= 4.5 v
V
GS
= 10 v
门 承担
在-阻抗 vs. 流 电流
-门-至-源 电压 (v)
Q
g
-总的 门 承担 (nc)
V
DS
-流-至-源 电压 (v)
C-电容 (pf)
V
GS
-在-阻抗 (r
ds(在)
)
I
D
-流 电流 (一个)
电容
在-阻抗 vs. 接合面 温度
T
J
-接合面 温度 (
c)
(normalized)
-在-阻抗 (r
ds(在)
)
1.0 1.2
1
10
60
0.00 0.2 0.4 0.6 0.8
T
J
= 25
C
T
J
= 150
C
源-流 二极管 向前 电压
V
SD
-源-至-流 电压 (v)
-源 电流 (一个)I
S
I
D
= 23 一个
在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
-在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
GS
-门-至-源 电压 (v)
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