January2001
Si4822DY
单独的 n-频道, 逻辑 水平的, powertrench
场效应晶体管
GeneralDescription特性
绝对 最大 比率
T
一个
= 25
o
c 除非 其它 wise 指出
标识参数Si4822DY单位
V
DSS
流-源 电压 30 V
V
GSS
门-源 电压 ±20 V
I
D
流 电流 - 持续的
(便条 1a)
12.5 一个
- 搏动 50
P
D
电源 消耗为 单独的 运作
(便条 1a)
2.5 W
(便条 1b)
1.2
(便条 1c)
1
T
J
,t
STG
运行 和 存储 温度 范围 -55 至 150 °C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(便条 1a)
50 °c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况
(便条 1)
25 °c/w
Si4822DY rev.一个
12.5一个, 30 v. r
ds(在)
= 0.0095
Ω
@V
GS
= 10 v
R
ds(在)
= 0.013
Ω
@V
GS
= 4.5 v.
快 切换 速.
低 门 承担.
高 效能 trench 技术为
极其 低 r
ds(在)
.
高 电源 和 电流 处理 能力.
sot-23
SuperSOT
TM
-8
soic-16
所以-8 sot-223SuperSOT
TM
-6
这个n-频道 逻辑 水平的 场效应晶体管是生产
使用 仙童 半导体's 先进的 powertrench
处理 那 有 被 特别 tailored 至 降低
这 在-状态 阻抗 和 还 维持更好的
切换 效能.
这些 设备 是 好 suited 为 低 电压 和电池
powered 产品在哪里 低 在-线条 电源 丧失 和
快 切换 是 必需的.
1
6
7
8
2
4
3
5
© 2001 仙童 半导体 国际的
S
D
S
S
所以-8
D
D
D
G
管脚
1
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