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资料编号:394275
 
资料名称:SI4812DY
 
文件大小: 57.17K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si4812DY
vishay siliconix
www.vishay.com
4
文档 号码: 71775
s-41426—rev. g, 26-jul-04
典型 特性 (25
c 除非 指出)
0
10
20
30
40
50
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
电源 (w)
源-流二极管 向前 voltage 在-阻抗 vs. 门-至-源电压
单独的 脉冲波 电源 (场效应晶体管)
normalized 热的 瞬时 阻抗, 接合面-至-包围的 (场效应晶体管)
正方形的 波 脉冲波 持续时间 (秒)
normalized 有效的瞬时
热的 阻抗
在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
SD
源-至-流 电压 (v) V
GS
门-至-源 电压 (v)
源 电流 (一个)I
S
时间 (秒)
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0246810
2
1
0.1
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
10 100 600
T
J
= 150
C
T
J
= 25
C
I
D
= 9.0 一个
0.2
0.1
0.05
0.02
单独的 脉冲波
职责 循环 = 0.5
1. 职责 循环, d =
2. 每 单位 根基 = r
thJA
= 72
c/w
3. t
JM
T
一个
= p
DM
Z
thJA
(t)
t
1
t
2
t
1
t
2
注释:
4. 表面 挂载
P
DM
50
1
0.1
10
6001001010.10.01
1
125 150
0.0001
1
20
反转电流 (肖特基)
T
J
接合面 温度 (
c)
反转 电流 (毫安)I
R
0 255075100
10 v
0.001
0.01
0.1
10
20 v
30 v
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