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资料编号:394278
 
资料名称:Si4874BDY
 
文件大小: 54.98K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 30-V MOSFET
 
 


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Si4874DYrev.一个
0 0.5 1 1.5 2
0
10
20
30
40
50
v , 流-源 电压 (v)
i , 流-源 电流 (一个)
DS
D
2.5v
3.5v
3.0v
v =10v
GS
5.5v
4.5v
典型 电的 特性
图示 1. 在-区域 特性
.
图示 2. 在-阻抗 变化 和
流 电流 和 门 电压
.
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 在-阻抗
J
r , normalized
ds(在)
v = 10v
GS
i = 13a
D
图示 3. 在-阻抗 变化
温度
.
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
0
10
20
30
40
50
60
v , 门 至 源 电压 (v)
i , 流 电流 (一个)
v = 5.0v
DS
GS
D
25°C
-55°c
t =125°c
J
图示 5. 转移 特性.
图示 6. 身体 二极管 向前电压
Variation和 源 电流
和 温度.
2 4 6 8 10
0
0.005
0.01
0.015
0.02
0.025
0.03
v , 门 至 源 电压 (v)
GS
r , 在-阻抗 (ohm)
ds(在)
25°C
i = 6.5a
D
t = 125°c
一个
图示 4.在 阻抗
变化
门-至-源 电压.
0 10 20 30 40 50
0.5
1
1.5
2
2.5
i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
v = 3.0v
GS
D
r , normalized
ds(在)
10V
4.5 v
4.0 v
3.5 v
6.0 v
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
5
40
v , 身体 二极管 向前 电压 (v)
i , 反转 流 电流 (一个)
25°C
-55°c
v = 0v
GS
SD
S
t = 125°c
J
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