应用 信息
(持续)
在 这个 例子, 在 顺序 至 维持 一个 2% 顶峰-至-顶峰
输出 电压 波纹 和 一个 40% 顶峰-至-顶峰 inductor cur-
rent 波纹, 这 必需的 最大 等效串联电阻 是 6m
Ω
. 三 Sanyo
10MV5600AX 电容 在 并行的 将 给 一个 相等的
等效串联电阻 的 6m
Ω
. 这 总的 大(量) 电容 的 16.8mf 是
足够的 至 供应 甚至 severe 加载 过往旅客. 使用 这
一样 电容 为 两个都 输入 和 输出 也 keeps 这 bill
的 材料 简单的.
MOSFETS
MOSFETS 是 一个 核心的 部分 的 任何 切换 控制 和
有 一个 直接 impact 在 这 系统 效率. 在 这个 情况
这 目标 效率 是 85% 和 这个 是 这 能变的 那 将
决定 这个 设备 是 可接受的. 丧失 从 这 ca-
pacitors, inductors, 和 这 LM2727 它自己 是 详细地 在 这
效率 部分, 和 来到 至 关于 0.54w. 至 满足 这
目标 效率, 这个 leaves 1.45w 为 这 场效应晶体管 传导
丧失, 门 charging 丧失, 和 切换 丧失. 切换 丧失
是 特别 difficult 至 估计 因为 它 取决于 在
许多 factors. 当 这 加载 电流 是 更多 比 关于 1 或者
2 放大器, 传导 losses outweigh 这 切换 和 门
charging losses. 这个 准许 场效应晶体管 选择 为基础 在 这
R
DSON
的 这 场效应晶体管. Adding 这 场效应晶体管 切换 和 门-
charging losses 至 这 等式 leaves 1.2w 为 传导
losses. 这 等式 为 传导 丧失 是:
P
Cnd
= d(i
2
o
*R
DSON
*k) + (1-d)(i
2
o
*R
DSON
*k)
这 因素 k 是 一个 常量 这个 是 增加 至 账户 为 这
增加 R
DSON
的 一个 场效应晶体管 预定的 至 加热. here, k = 1.3. 这
Si4442DY 有 一个 典型 R
DSON
的 4.1m
Ω
. 当 plugged 在
这 等式 为 P
CND
这 结果 是 一个 丧失 的 0.533w. 如果 这个
设计 是 为 一个 5V 至 2.5v 电路, 一个 equal 号码 的
FETs 在 这 高 和 低 sides 将 是 这 最好的 解决方案.
和 这 职责 循环 D = 0.24, 它 变为 apparent 那 这
低 一侧 场效应晶体管 carries 这 加载 电流 76% 的 这 时间.
Adding 一个 第二 场效应晶体管 在 并行的 至 这 bottom 场效应晶体管 可以
改进 这 效率 用 lowering 这 有效的 R
DSON
. 这
更小的 这 职责 循环, 这 更多 有效的 一个 第二 或者 甚至
第三 场效应晶体管 能 是. 为 一个 minimal 增加 在 门 charging
丧失 (0.054w) 这 decrease 在 传导 丧失 是 0.15w.
What 是 一个 85% 设计 改进 至 86% 为 这 增加
费用 的 一个 所以-8 场效应晶体管.
控制 循环 组件
这 电路 是 这个 设计 例子 和 这 其他 显示 在
这 例子 电路 部分 有 被 补偿 至
改进 它们的 直流 增益 和 带宽. 这 结果 的 这个
补偿 是 更好的 线条 和 加载 瞬时 responses.
为 这 lm2727, 这 顶 反馈 分隔物 电阻, rfb2, 是
也 一个 部分 的 这 补偿. 为 这 10a, 5V 至 1.2v
设计, 这 值 是:
Cc1 = 4.7pf 10%, Cc2 = 1nF 10%, Rc = 229k
Ω
1%. 这些
值 给 一个 阶段 余裕 的 63˚ 和 一个 带宽 的
29.3khz.
支持 电容 和 电阻器
这 Cinx 电容 是 高 频率 绕过 设备,
设计 至 过滤 和声学 的 这 切换 频率 和
输入 噪音. 二 1µF 陶瓷的 电容 和 一个 sufficient
电压 比率 (10v 为 这 电路 的
图示 3
) 将 工作 好
在 almost 任何 情况.
Rbypass 和 Cbypass 是 标准 过滤 组件 de-
signed 至 确保 平整的 直流 电压 为 这 碎片 供应 和
为 这 自举 结构, 如果 它 是 使用. 使用 10
Ω
为 这
电阻 和 一个 2.2µf 陶瓷的 为 这 cap. Cb 是 这 自举
电容, 和 应当 是 0.1µf. (在 这 情况 的 一个 独立的,
高等级的 供应 至 这 BOOTV 管脚, 这个 0.1µf cap 能 是 使用
至 绕过 这 供应.) 使用 一个 肖特基 设备 为 这 激励-
strap 二极管 准许 这 最小 漏出 为 两个都 高 和 低
一侧 驱动器. 这 在 半导体 BAT54 或者 MBR0520
工作 好.
Rp 是 一个 标准 拉-向上 电阻 为 这 打开-流 电源
好的 信号, 和 应当 是 10k
Ω
. 如果 这个 特性 是 不
需要, 它 能 是 omitted.
R
CS
是 这 电阻 使用 至 设置 这 电流 限制. 自从 这
设计 calls 为 一个 顶峰 电流 巨大 (io + 0.5 *
∆
I
o
)的
12a, 一个 safe 设置 将 是 15a. (这个 是 好 在下 这
饱和 电流 的 这 输出 inductor, 这个 是 25a.)
下列的 这 等式 从 这 电流 限制 部分, 使用 一个
3.3k
Ω
电阻.
R
FADJ
是 使用 至 设置 这 切换 频率 的 这 碎片.
下列的 这 等式 在 这 Theory 的 运作 部分,
这 closest 1% 容忍 电阻 至 获得 f
SW
= 300kHz 是
88.7k
Ω
.
C
SS
取决于 在 这 用户 (所需的)东西. 为基础 在 这
等式 为 C
SS
在 这 Theory 的 运作 部分, 为 一个
3ms 延迟, 一个 12nF 电容 将 suffice.
效率 CALCULATIONS
一个 合理的 estimation 的 这 效率 的 一个 切换
控制 能 是 得到 用 adding 一起 这 丧失 是
各自 电流 carrying 元素 和 使用 这 等式:
这 下列的 显示 一个 效率 计算 至 complement
这 电路 的
图示 3
. 输出 电源 为 这个 电路 是 1.2v x
10A = 12w.
碎片 运行 丧失
P
IQ
=I
q-v
CC
*V
CC
2mA x 5V = 0.01w
场效应晶体管 门 Charging 丧失
P
GC
=n*V
CC
*Q
GS
*f
OSC
这 值 n 是 这 总的 号码 的 FETs 使用. 这 Si4442DY
有 一个 典型 总的 门 承担, Q
GS
, 的 36nC 和 一个 r
ds-在
的
4.1m
Ω
. 为 一个 单独的 场效应晶体管 在 顶 和 bottom:
2*5*36E
-9
*300,000 = 0.108w
场效应晶体管 切换 丧失
P
SW
=0.5*v
在
*I
O
*(t
r
+t
f
)* f
OSC
这 Si4442DY 有 一个 典型 上升 时间 t
r
和 下降 时间 t
f
的 11
和 47ns, 各自. 0.5*5*10*58e
-9
*300,000 = 0.435w
lm2727/lm2737
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