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资料编号:394285
 
资料名称:SI4860DY
 
文件大小: 39.2K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFE
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si4860DY
vishay siliconix
文档号码: 71752
s-03662—rev.c, 14-apr-03
www.vishay.com
3
典型 特性 (25
c 除非 指出)
0.000
0.003
0.006
0.009
0.012
0.015
0 1020304050
0
1
2
3
4
5
6
0 4 8 12 16 20
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
500
1000
1500
2000
2500
0 6 12 18 24 30
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 15 v
I
D
= 16 一个
V
GS
= 10 v
I
D
= 16 一个
V
GS
= 10 v
门 承担
在-阻抗 vs. 流 电流
-门-至-源 电压 (v)
Q
g
-总的 门 承担 (nc)
V
DS
-流-至-源 电压 (v)
C-电容 (pf)
V
GS
-在-阻抗 (r
ds(在)
)
I
D
-流 电流 (一个)
电容
在-阻抗 vs. 接合面 温度
T
J
-接合面 温度 (
c)
(normalized)
-在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
GS
= 4.5 v
1.0 1.2
0.000
0.008
0.016
0.024
0.032
0.040
0246810
1
10
60
I
D
= 16 一个
0.00 0.2 0.4 0.6 0.8
T
J
= 25
C
T
J
= 150
C
源-流 二极管 向前 电压 在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
-在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
SD
-源-至-流 电压 (v) V
GS
-门-至-源 电压 (v)
-源 电流 (一个)I
S
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