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资料编号:394290
 
资料名称:SI4882DY
 
文件大小: 58.78K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
 
 


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Si4882DY
vishay siliconix
新 产品
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2-4
文档 号码: 70878
s-00271—rev. 一个, 26-apr-99
  
  
10
–3
10
–2
1 10 60010
–1
10
–4
100
0.01
0
1
50
60
20
30
10 300.1
单独的 脉冲波 电源
时间 (秒)
10
40
电源 (w)
–1.0
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
–0.0
0.2
0.4
0.6
–50 –25 0 25 50 75 100 125 150
I
D
= 250
一个
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
单独的 脉冲波
职责 循环 = 0.5
门槛 电压
variance (v)v
gs(th)
T
J
– 温度 (
c)
normalized 热的 瞬时 阻抗, 接合面-至-包围的
正方形的 波 脉冲波 持续时间 (秒)
normalized 有效的 瞬时
热的 阻抗
1. 职责 循环, d =
2. 每 单位 根基 = r
thJA
= 68
c/w
3. t
JM
– t
一个
= p
DM
Z
thJA
(t)
t
1
t
2
t
1
t
2
注释:
4. 表面 挂载
P
DM
10
–3
10
–2
11010
–1
10
–4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
单独的 脉冲波
职责 循环 = 0.5
normalized 热的 瞬时 阻抗, 接合面-至-foot
正方形的 波 脉冲波 持续时间 (秒)
normalized 有效的 瞬时
热的 阻抗
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