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资料编号:394293
 
资料名称:SI4825DY
 
文件大小: 56.46K
   
说明
 
介绍:
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si4825DY
vishay siliconix
新 产品
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2
文档 号码: 71291
s-10679—rev. 一个, 31-jul-00
 

   
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= –250
一个 –1.0 V
= 0 v, v
GS
=
25
V
100 nA
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= –24 v, v
GS
= 0 v –1
一个
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= –24 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 55
C –5
一个
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
–5 v, v
GS
= –10 v –50 一个
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= –10 v, i
D
= –11.5 一个 0.012 0.014
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= –4.5 v, i
D
= –9.2 一个 0.018 0.022
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
= –15
v,I
D
= –11.5 一个
28 S
二极管 向前 电压
一个
V
SD
I
S
= –2.5 一个, v
GS
= 0 v –0.8 –1.2 V
动态
b
总的 门 承担 Q
g
V15VV10VI115A
55 71
C
= –15 v,
V
GS
= –10 v, i
D
= –11.5 一个
15.5
nC
门-流 承担 Q
gd
7.5
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
V15VR15
15 25
上升 时间 t
r
V
DD
= –15 v, r
L
= 15
I 1 一个 V 10 V R 6
13 20
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
DD
,
L
I
D
–1 一个, v
GEN
= –10 v, r
G
= 6
97 150
ns
下降 时间 t
f
51 75
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= –2.5 一个, di/dt = 100 一个/
s 45 80
注释
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
b. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
  
  
0
10
20
30
40
50
012345
0
10
20
30
40
50
012345
V
GS
= 10 thru 5 v
T
C
= 125
C
–55
C
25
C
输出 特性 转移 特性
V
DS
– 流-至-源 电压 (v)
– 流 电流 (一个)i
D
V
GS
– 门-至-源 电压 (v)
– 流 电流 (一个)i
D
4 v
3 v
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