Si4835BDY
vishay siliconix
新 产品
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2
文档 号码: 72029
s-31062—rev. c, 26-将-03
规格 (t
J
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= -250
一个 -1.0 -3.0 V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
25
V
100 nA
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
=- 24 v, v
GS
= 0 v -1
一个零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
=- 24 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 55
C -5
一个
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
-5 v, v
GS
=-10 v -50 一个
流 源 在 状态 阻抗
一个
r
ds( )
V
GS
=-10 v, i
D
=- 9.6 一个 0.014 0.018
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
=- 4.5 v, i
D
=-7.5 一个 0.023 0.030
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
=-15
v,I
D
=- 9.6 一个
30 S
二极管 向前 电压
一个
V
SD
I
S
=- 2.1 一个, v
GS
= 0 v -0.8 -1.2 V
动态
b
总的 门 承担 Q
g
25 37
门-源 承担 Q
gs
V
DS
= - 15 v,
V
GS
=-5 v, i
D
=- 9.6 一个 6.5 nC
门-流 承担 Q
gd
12.5
门 阻抗 R
g
1.0 2.9 4.9
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
15 25
上升 时间 t
r
V
DD
=-15 v, r
L
= 15
13 20
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
V
DD
=-15 v,R
L
= 15
I
D
- 1 一个, v
GEN
= - 10 v, r
G
= 6
60 100
ns
下降 时间 t
f
45 70
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
=- 2.1 一个, di/dt = 100 一个/
s 45 80
注释
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
b. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
典型 特性 (25
c 除非 指出)
0
10
20
30
40
50
012345
0
10
20
30
40
50
0123456
V
GS
= 10 thru 5 v
T
C
=-55
C
125
C
25
C
输出 特性 转移 特性
V
DS
-流-至-源 电压 (v)
-流 电流 (一个)I
D
V
GS
-门-至-源 电压 (v)
-流 电流 (一个)I
D
4 v
3 v