额外的刺激 设备 模型 si4922dy
vishay siliconix
www.vishay.com 文档 号码: 71563
2
16-apr-01
规格 (t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
参数 标识 测试 情况 典型 单位
静态的
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
µ
一个
1.1 V
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
≥
5 v, v
GS
= 10 v
365 一个
V
GS
= 10 v, i
D
= 8.8 一个 0.013
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 8.3 一个 0.015流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= 2.5 v, i
D
= 7.2 一个 0.024
Ω
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
= 15 v, i
D
= 8.8 一个 31 S
二极管 向前 电压
一个
V
SD
I
S
= 1.7 一个, v
GS
= 0 v 0.72 V
动态
b
总的 门 承担 Q
g
22.8
门-源 承担 Q
gs
5.8
门-流 承担 Q
gd
V
DS
= 15 v, v
GS
= 4.5 v, i
D
= 8.8 一个
5.8
nC
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
13
上升 时间 t
r
17
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
20
下降 时间 t
f
V
DD
= 15 v, r
L
= 15
Ω
I
D
≅
1 一个, v
GEN
= 10 v, r
G
= 6
Ω
47
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= 1.7 一个, di/dt = 100 一个/
µ
s
30
ns
注释
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2%.
b. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
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