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资料编号:394326
 
资料名称:SI4933DY
 
文件大小: 44.8K
   
说明
 
介绍:
Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si4933DY
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 71980
s-22122
rev. b, 25-十一月-02
www.vishay.com
3
典型 特性 (25
c 除非 指出)
- 在-阻抗 (r
ds(在)
)
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
024681012
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
1
2
3
4
5
0 1020304050
0.000
0.005
0.010
0.015
0.020
0.025
0.030
0 6 12 18 24 30
V
DS
- 流-至-源 电压 (v)
C
oss
C
iss
V
DS
= 6 v
I
D
= 9.8 一个
I
D
- 流 电流 (一个)
V
GS
= 4.5 v
I
D
= 9.8 一个
V
GS
= 2.5 v
门 承担
在-阻抗 vs. 流 电流
- 门-至-源 电压 (v)
Q
g
- 总的 门 承担 (nc)
c - 电容 (pf)
V
GS
电容
在-阻抗 vs. 接合面 temperature
T
J
- 接合面 温度 (
c)
(normalized)
- 在-阻抗 (r
ds(在)
)
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
0.000
0.005
0.010
0.015
0.020
0.025
0.030
012345
T
J
= 150
C
I
D
= 9.8 一个
30
10
1
源-流 二极管 向前 电压 在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
- 在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
SD
- 源-至-流 电压 (v) V
GS
- 门-至-源 电压 (v)
- 源 电流 (一个)I
S
T
J
= 25
C
V
GS
= 1.8 v
C
rss
V
GS
= 4.5 v
I
D
= 3 一个
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