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资料编号:39471
 
资料名称:2SK1304
 
文件大小: 50.76K
   
说明
 
介绍:
Silicon N-Channel MOS FET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SK1304
6
500
5
反转 流 电流 i
DR
(一个)
反转 恢复 时间 t
rr
(ns)
200
20
1.0 10 50
5
50
100
身体 至 流 二极管 反转
恢复 时间
0.5
10
20
di/dt = 50 一个/
µ
s, ta = 25°c
V
GS
= 0
脉冲波 测试
2
Crss
Coss
10,000
20 50
流 至 源 电压 v
DS
(v)
电容 c (pf)
100
10 30 40
10
1,000
典型 电容 vs.
流 至 源 电压
V
GS
= 0
f = 1 mhz
0
Ciss
100
80 200
门 承担 qg (nc)
流 至 源 电压 v
DS
(v)
动态 输入 特性
80
20
40 120 1600
40
60
V
DS
20
16
4
0
8
12
V
DD
= 25 v
50 v
80 v
I
D
= 40 一个
V
GS
门 至 源 电压 v
GS
(v)
V
DD
= 80 v
50 v
25 v
250
流 电流 i
D
(一个)
切换 时间 t (ns)
1,000
100
1.0 5 20
20
200
500
V
GS
= 10 v v
DD
= 30 v
pw = 2
µ
s, 职责 < 1%
0.5
50
10
切换 特性
t
d (止)
t
r
t
d (在)
10
t
f
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