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文档 号码: 71991
17-dec-03
典型 特性 (25
c 除非 指出) sense 消逝
0
2
4
6
8
10
0.00 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10
在-阻抗vs. sense 电流
I
SENSE
(一个)
0
200
400
600
800
1000
1200
048121620
电流 比率 (i
(主要的)/是
)
vs. 门-源 电压 (图示 1)
比率
0
2
4
6
8
10
0246810
在-阻抗 vs. 门-源电压
V
GS
= 10 v
V
GS
= 4.5 v
V
GS
−
门-至-源 电压 (v)
V
GS
−
门-至-源 电压 (v)
I
D
= 10 毫安
R
S
= 6.6
R
S
= 4.7
R
S
= 1.1
R
S
= 0.5
G
V
G
SENSE S KELVIN
R
S
R
S
= 2.2
图示 2.
电流-感觉到 消逝 特性 和 图式
r
m(在)
−
在-阻抗 (
)
r
m(在)
−
在-阻抗 (
)
定义 的电流-感觉到 参数
这 电流-sense 比率, r, 是 这 quotient 的 这 号码 的 cells
terminated 在这 sense 终端 至 这 总的 号码 的 cells 在
这 场效应晶体管 消逝.
至 derive 这 值 的
r
使用 这 在之上 定义 需要
详细地 消逝 设计. 不管怎样, 这 quotient 的 流 电流 至
这 sense 电流 提供 这 一样 值 因为 这些
电流 值 是 这 总 的 cell 电流 在 各自 path.
mathematically:
r = i
D
/i
SENSE
I
D
是 流 电流
I
SENSE
是 这 电流 流 输出 的 这 sense 终端 和在
这 sense 电阻, r
SENSE
mirror 起作用的 阻抗, r
m(在)
, 是 这 阻抗 的 并行的
连接cells 使用 在 这 sense chain 当 这 设备 是 在.
正在 r
ds(在)
作 在 任何 其它 场效应晶体管, 这 值 取决于 在
这 门 驱动, 流 电流, 和 接合面 温度.
accordingly, r
m(在)
是 定义 在 给 值 的 v
GS
, i
流
,
和 t
J
接合面.
用 定义,为 这 sense 消逝, 谈及 至 图示 2. mirror 起作用的
阻抗 r
m(在)
是 指定 在这 门-源 电压, v
GS
在 4.5 v 和 10 v, corresponding 流-源 电流 i
SENSE
向上 至 0.1 一个,和接合面温度T
J
在 25
c. 这
温度系数 的 r
m(在)
是 这 一样 作 那 的 r
ds(在)
.
谈及 至 这 在-阻抗 vs. 接合面 温度 曲线 在
图示 3.
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