首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:39490
 
资料名称:2SK1334
 
文件大小: 43.88K
   
说明
 
介绍:
Silicon N-Channel MOS FET
 
 


: 点此下载
  浏览型号2SK1334的Datasheet PDF文件第1页
1
浏览型号2SK1334的Datasheet PDF文件第2页
2

3
浏览型号2SK1334的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号2SK1334的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号2SK1334的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号2SK1334的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号2SK1334的Datasheet PDF文件第8页
8
浏览型号2SK1334的Datasheet PDF文件第9页
9
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SK1334
3
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
流 至 源 损坏
电压
V
(br)dss
200 V I
D
= 10 毫安, v
GS
= 0
门 至 源 损坏
电压
V
(br)gss
±
20——V I
G
=
±
100
µ
一个, v
DS
= 0
门 至 源 leak 电流 I
GSS
——
±
10
µ
AV
GS
=
±
16 v, v
DS
= 0
零 门 电压 流 电流 I
DSS
——50
µ
AV
DS
= 160 v, v
GS
= 0
门 至 源 截止 电压 V
gs(止)
2.0 4.0 V I
D
= 1 毫安, v
DS
= 10 v
静态的 流 至 源 在 状态
阻抗
R
ds(在)
2.5 3.8
I
D
= 0.5 一个, v
GS
= 10 v *
1
4.5 7.0
I
D
= 2 一个, v
GS
= 10 v *
1
向前 转移 admittance |yfs| 0.4 0.6 S I
D
= 0.5 一个, v
DS
= 10 v *
1
输入 电容 Ciss 80 pF V
DS
= 10 v, v
GS
= 0,
输出 电容 Coss 40 pF f = 1 mhz
反转 转移 电容 Crss 7 pF
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
—5 —nsI
D
= 0.5 一个, v
GS
= 10 v,
上升 时间 t
r
—8 —nsR
L
= 60
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
—10—ns
下降 时间 t
f
—7 —ns
身体 至 流 二极管 向前
电压
V
DF
1.0 V I
F
= 1 一个, v
GS
= 0
身体 至 流 二极管 反转
恢复 时间
t
rr
75 ns I
F
= 1 一个, v
GS
= 0,
di
F
/dt = 50 一个/
µ
s
注释: 1. 脉冲波 测试
2. 标记 为 2sk1334 是 “by”.
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com