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资料编号:39491
 
资料名称:2SK1335
 
文件大小: 46.94K
   
说明
 
介绍:
Silicon N-Channel MOS FET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2sk1335(l), 2sk1335(s)
4
5
820
门 至 源 电压 v
GS
(v)
流 至 源 饱和 电压
V
ds (在)
(v)
4
1
412160
2
3
流 至 源 饱和 电压
vs. 门 至 源 电压
I
D
= 5 一个
脉冲波 测试
2 一个
1 一个
5
120
流 电流 i
D
(一个)
静态的 流 至 源 在 状态 阻抗
R
ds (在)
(
)
2
0.1
0.5 2 100.2
0.5
1.0
静态的 流 至 源 在 状态
阻抗 vs. 流 电流
0.2
0.05
5
15 v
V
GS
= 10 v
脉冲波 测试
2.0
40 160
情况 温度 t
C
(°c)
静态的 流 至 源 在 状态 阻抗
R
ds (在)
(
)
1.6
0.4
0 80 120
0
0.8
1.2
静态的 流 至 源 在 状态
阻抗 vs. 温度
I
D
= 5 一个
V
GS
= 10 v
脉冲波 测试
–40
1 一个
2 一个
10
0.2 5
流 电流 i
D
(一个)
向前 转移 admittance
yfs
(s)
5
0.5
0.1 0.5 2
0.1
1
2
向前 转移 admittance
vs. 流 电流
tc = 25°c
V
DS
= 10 v
脉冲波 测试
0.05
0.2
1
–25°C
75°C
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