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资料编号:39501
 
资料名称:2SK1166
 
文件大小: 50.1K
   
说明
 
介绍:
Silicon N-Channel MOS FET
 
 


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2sk1165, 2sk1166
7
20
0.8 2.0
源 至 流 电压 v
SD
(v)
反转 流 电流 i
DR
(一个)
16
0.4 1.2 1.6
8
12
反转 流 电流 vs.
源 至 流 电压
脉冲波 测试
0
4
5, 10 v
V
GS
= 0, –10 v
3
脉冲波 宽度 pw (s)
normalized 瞬时 热的 阻抗
γ
S
(t)
1.0
0.1
0.3
d = 1
10
µ
0.03
0.01
100
µ
10 m 100 m 1 101 m
T
C
= 25°c
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1 shot 脉冲波
T
PW
P
DM
d =
T
PW
θ
ch–c (t) =
γ
S
(t) ·
θ
ch–c
θ
ch–c = 1.25°c/w, t
C
= 25°c
normalized 瞬时 热的 阻抗 vs. 脉冲波 宽度
vin 监控
vout 监控
R
L
50
vin = 10 v
d.u.t
.
V
DD
= 30 v
.
切换 时间 测试 电路
Vin
10 %
90 %
90 %
90 %
10 %
t
d (在)
t
d (止)
t
r
t
f
Vout
10 %
Wavewforms
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